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Synthesis, properties, and top-gated metal–oxide–semiconductor field-effect tran
  • ISSN号：2046-2069
  • 期刊名称：RSC Advances
  • 时间：2013
  • 页码：19834-
  • 相关项目：纳米半导体材料及相关电子/光电子器件基础研究
作者： 戴伦|戴伦|
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