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SiO2 8×8阵列波导光栅的研制
  • 期刊名称:光电子?激光, 2006, 17(3): 269-273
  • 时间:0
  • 分类:TN256[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构:[1]浙江大学信息与电子工程系,浙江杭州310027, [2]中国科学院上海微系统与信息技术研究所,传感技术国家重点实验室,上海200050
  • 相关基金:国家自然科学基金资助项目(60377030,60436020);上海应用材料科技合作计划资助项目(0417);国家教育部重点科技资助项目
  • 相关项目:基于平面集成光路技术的可调光色散补偿器
中文摘要:

在Si基SiO2材料上设计并制作了中心波长为1.55μm、通道间隔为0.8nm的8×8阵列波导光栅(AWG)。详细介绍了器件的设计、制作和测试,并对测试结果及工艺误差进行了深入的分析讨论。封装后的测试结果显示,器件的3dB带宽为0.22nm;中央通道输入时,最小和最大插入损耗分别为4.01dB和6.32dB;边缘通道输入时,最小和最大插入损耗分别为6.24dB和9.02dB;对比不同通道输入时输出通道的中心波长,其偏移量低于0.039nm;器件的通道间串扰小于-25dB;偏振依赖损耗(PDL)小于0.3dB。

英文摘要:

An 8× 8 silica-based arrayed waveguide grating(AWG) with the central wavelength of 1.55 μm and the channel spacing of 0.8 nm is designed and fabricated. The design,fabrication and test process are presented in details. According to the test results of the packaged chip,the 3 dB bandwidth of the device is 0.22 nm, the minimum and maximum channel loss are 4.01 dB and 6.32 dB,respectively,when the central input channel is used,while the corresponding values for the outermost input channel are 6.24 dB and 9.02 dB, respectively. The output wavelength shift is below 0. 039 nm. The crosstalk of the device is better than -25 dB.And the PDL ofthe device is less than 0.3 dB.

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