欢迎您!
东篱公司
退出
申报数据库
申报指南
立项数据库
成果数据库
期刊论文
会议论文
著 作
专 利
项目获奖数据库
位置:
成果数据库
>
期刊
> 期刊详情页
一种面积有效的抗SEU锁存器设计研究
ISSN号:0018-9499
期刊名称:IEEE Transactions on Nuclear Science
时间:2014.12.1
页码:-
相关项目:面向空间应用深亚微米SOI集成器件辐照损伤机理研究
作者:
王海滨|毕津顺|
同期刊论文项目
面向空间应用深亚微米SOI集成器件辐照损伤机理研究
期刊论文 18
会议论文 18
同项目期刊论文
深亚微米SOI射频LDMOS功率特性研究
基于PDSOI单粒子翻转物理机制的SPICE模型研究
H型栅结构的亚微米PDSOI MOS器件的跨导双峰效应研究
核反应影响半导体器件单粒子翻转的Geant4仿真
Study on power characteristics of deep sub-micron SOI RF LDMOS
Numerical simulation of single-event-transient effects on ultra-thin-body fully-depleted silicon-on-
Hf/HfO2基双极阻变存储器研究
0.18微米PDSOI MOSFET激光单粒子瞬态研究
基于Geant4的三维半导体器件单粒子效应仿真
Characteristics of HfO2/Hf-based bipolar resistive memories
Transconductance bimodal effect of PDSOI submicron H-gate MOSFETs
0.18μm部分耗尽绝缘体上硅互补金属氧化物半导体电路单粒子瞬态特性研究
22 nm工艺超薄体全耗尽绝缘体上硅晶体管单粒子瞬态效应研究
DCIV技术表征MOS/SOI界面陷阱能级密度分布
DCIV技术提取SOI器件前栅界面与背界面态密度