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P-Type ECRL Circuits for Gate-Leakage Reduction in Nanometer CMOS Processes with Gate Oxide Material
  • 期刊名称:Applied Mechanics and Materials
  • 时间:0
  • 页码:1919-1924
  • 语言:英文
  • 相关项目:能量回收型绝热芯片设计的若干关键技术研究
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