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The role of hydrogen in negative bias temperature instability of pMOSFET
  • ISSN号：1674-1056
  • 期刊名称：《中国物理B：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：O47[理学—半导体物理;理学—物理]
  • 作者机构：[1]Key Laboratory of Ministry of' Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi'an 710071, China
  • 相关基金：Project supported by the National Natural Science Foundation of China （Grant No 60206006）, the Hi-Tech Research ＆ Development Program of China （Grant No 2004AA1Z1070） and the Key Project of Chinese Ministry of Education （Grant No 104172）.
作者： 李忠贺[1], 刘红侠[1], 郝跃[1]
关键词： 负偏置温度不稳定性, 器件降格, 氢扩散, 界面阱, PMOSFET, 介质击穿, negative bias temperature instability, device degradation, hydrogen diffusion, interface traps
中文摘要：

E-mail：xd_ zhli@yahoo.com.cn

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期刊信息
  • 《中国物理B：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会和中国科学院物理研究所
  • 主编：欧阳钟灿
  • 地址：北京 中关村 中国科学院物理研究所内
  • 邮编：100080
  • 邮箱：
  • 电话：010-82649026 82649519
  • 国际标准刊号：ISSN：1674-1056
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5639/O4
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  • 获奖情况:
  • 国内外数据库收录:
  • 被引量:406