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一种超低功耗无片外电容LDO
  • ISSN号:1000-7180
  • 期刊名称:《微电子学与计算机》
  • 时间:0
  • 分类:TN402[电子电信—微电子学与固体电子学] TN86[电子电信—信息与通信工程]
  • 作者机构:[1]桂林电子科技大学信息与通信学院,广西桂林541004
  • 相关基金:国家自然科学基金资助项目(61166004,61264001,61161003);广西自然科学基金项目(2014GXNSFAA118386,2013GXNSFAA019333)
中文摘要:

设计了一种超低功耗无片外电容型低压差线性稳压器(OCL-LDO)电路,引入电荷泄放电路和电流倍增缓冲级以改善稳压器的瞬态响应,通过二级密勒补偿技术保证电路在各种负载条件下的稳定性.同时,采用电流模型跨导运放作为误差放大器,有利于简化电路结构和降低功耗.对该OCL-LDO的稳定性及瞬态响应进行了分析并采用SMIC 0.18’m CMOS工艺设计并流片测试.测试结果表明:在负载电流为1mA、输入电压为1.9~3.2V时,输出电压可稳定在1.8V左右,压差仅为35mV,且静态电流仅为1.4’A.

英文摘要:

An ultra low quiescent current output-capacitor-less CMOS LDO chip is designed in this paper. This Circuit is based on a current-mode transeonduetance amplifier (CTA) as the error amplifier, and the stability of the circuit under various load conditions is ensured by miller compensation technology. While an instantaneous current- boosting voltage buffer is inserted to improve the transient responses. The stability and transient responses of the LDO regulator are presented, and it has been implemented and fabricated in SMIC 0. 18 gm CMOS process. The measured results shown that the output voltage can be stable at 1.8 V when its supply is from 1.9 V to 3.2 V, the dropout voltage is just 35 mV, and the quiescent current is only 1.4 μA.

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期刊信息
  • 《微电子学与计算机》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国航天科技集团公司
  • 主办单位:中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所
  • 主编:李新龙
  • 地址:西安市雁塔区太白南路198号
  • 邮编:710065
  • 邮箱:mc771@163.com
  • 电话:029-82262687
  • 国际标准刊号:ISSN:1000-7180
  • 国内统一刊号:ISSN:61-1123/TN
  • 邮发代号:52-16
  • 获奖情况:
  • 航天优秀期刊,陕西省优秀期刊一等奖
  • 国内外数据库收录:
  • 荷兰文摘与引文数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:17909