中文摘要：

采用直流反应磁控溅射法在Si(100)基片上生长了厚度分别为14.9,34.1,57.6,70.0,83.4和101.7nm的氧化钒薄膜。利用光谱式椭偏仪,并采用基于Bruggeman有效介质理论的Lorentz经典共振模型对所制备的薄膜的膜厚、折射率、消光系数进行了模拟和测量,实验表明薄膜厚度在(10～100)nm左右时,对应于633.18nm测试波长,薄膜的折射率在1.9～2.9,消光系数在0.1～1。