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Study of a 4H-SiC epitaxial n-channel MOSFET
  • ISSN号：1674-1056
  • 期刊名称：Chinese Physics B
  • 时间：0
  • 页码：047204-1-047204-3
  • 语言：英文
  • 分类：TN386.1[电子电信—物理电子学] TP332[自动化与计算机技术—计算机系统结构;自动化与计算机技术—计算机科学与技术]
  • 相关基金：Project supported by the National Natural Science Foundation of China （Grant No. 60876061） and Advanced Research Foundation （Grant No. 51308040302）.
  • 相关项目：碳化硅金属-半导体双极型晶体管的研究
作者： Tang, Xiao-Yan|Zhang, Yu-Ming|Zhang, Yi-Men|
关键词： N沟道MOSFET, 金属氧化物半导体场效应晶体管, SiC, 仿真模拟, 方程式, 反型层, ISE, 硅外延, SiC, epitaxial layer, MOSFET, mobility
中文摘要：

Corresponding author. E-mail： xytang@mail.xidian.edu.cn

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期刊信息
  • 《中国物理B：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会和中国科学院物理研究所
  • 主编：欧阳钟灿
  • 地址：北京 中关村 中国科学院物理研究所内
  • 邮编：100080
  • 邮箱：
  • 电话：010-82649026 82649519
  • 国际标准刊号：ISSN：1674-1056
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5639/O4
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 国内外数据库收录:
  • 被引量:406