位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
基于Cl2 基气体的InP/ InGaAs 干法刻蚀研究
  • ISSN号：1001-5868
  • 期刊名称：半导体光电
  • 时间：0
  • 页码：396-399
  • 语言：中文
  • 相关项目：稀磁半导体/半导体界面对载流子自旋注入和输运特性的影响
作者： 唐龙谷|
同期刊论文项目
稀磁半导体/半导体界面对载流子自旋注入和输运特性的影响
期刊论文 8 会议论文 3 专利 1
同项目期刊论文
影响磁性 PN 结自旋极化输运特性的因素
杂质与缺陷对GaMnAs光学特性影响的研究
基于Cl2基气体的InP／InGaAs干法刻蚀研究
超薄GaMnAs外延膜空穴浓度和应变弛豫研究
影响磁性pn结自旋极化输运特性的因素
GaMnN材料红外光谱中洛伦兹振子模型的遗传算法研究
期刊信息
  • 《半导体光电》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:信息产业部
  • 主办单位:中国电子科技集团公司第四十四研究所（重庆光电技术研究所）
  • 主编：江永清
  • 地址：重庆市南岸区南坪花园路14号
  • 邮编：400060
  • 邮箱：soe@163.net
  • 电话：023-65860286
  • 国际标准刊号：ISSN：1001-5868
  • 国内统一刊号：ISSN：50-1092/TN
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 重庆市首届十佳期刊称号，1999年,信息产业部1999-2000年度优秀电子期刊称号
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:5924