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Residual strains and optical properties of ZnO thin epilayers grown on r-sapphire planes
  • ISSN号:0268-1242
  • 期刊名称:Semiconductor Science and Technology
  • 时间:0
  • 页码:-
  • 相关项目:旨在提高氮化镓基高端光电子器件性能和寿命的基础光电子过程和载流子复合动力学的研究
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