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The effect of annealing temperature and film thickness on the phase of pentacene on the p^＋-Si substrate
  • ISSN号：1674-1056
  • 期刊名称：《中国物理B：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：TN32[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：[1]Institute of Optoelectronic Technology, Beijing Jiaotong University, Beijing 100044, China Key Laboratory of Luminescence and Optical Information (Beijing Jiaotong University), Ministry of Education, Beijing 100044, China
  • 相关基金：Project supported by the National High Technology Research and Development Program （863 plan） of China （Grant No 2006AA03Z0412）, the National Natural Science Foundation of China （Grant Nos 60576016 and 10774013）, the Excellent Doctor＇s Science and Technology Innovation Foundation of Beijing Jiaotong University （Grant No 48024）, The Research Fund for the Youth Scholars of the Doctoral Program of Higher Education （Grant No 20070004031）, the Beijing NOVA program （Grant No 2007A024）, the Project Sponsored by the Scientific Research Foundation for the Returned Overseas Chinese Scholars, State Education Ministry： the Foundation of Beijing Jiaotong University （Grant No 2005SM057）.
作者： 袁广才[1], 徐征[1], 赵谡玲[1], 张福俊[1], 黄金昭[1], 黄金英[1], 田雪雁[1], 徐叙瑢[1]
关键词： 并五苯, 形态学, 结晶相, 退火温度, 薄膜厚度, 薄膜晶体管, pentacene, morphology, crystalline phase, thin-film transistors
中文摘要：

Corresponding author. E-mail： zhengxu@bjtu.edu.cn or ygc219@126.com

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期刊信息
  • 《中国物理B：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会和中国科学院物理研究所
  • 主编：欧阳钟灿
  • 地址：北京 中关村 中国科学院物理研究所内
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  • 国际标准刊号：ISSN：1674-1056
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5639/O4
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