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采用CVD异位退火和双温区HPCVD工艺制备MgB2/B/MgB2多层膜
  • ISSN号:1000-3258
  • 期刊名称:《低温物理学报》
  • 时间:0
  • 分类:O484.1[理学—固体物理;理学—物理]
  • 作者机构:[1]贵州大学电子信息学院,贵阳550025, [2]贵州省微纳电子与软件技术重点实验室,贵州贵阳550025
  • 相关基金:贵州省科学技术基金[批准号:20092058,20112008)和贵州大学自然科学青年科研基金(批准号:2009014)资助的课题.
中文摘要:

介绍了采用了MgB2薄膜的化学气相沉积(CVD)异位退火和双温区混合物理化学气相沉积(HPCVD)制备技术,并以B膜作为势垒层在多晶的AlzOs基底上制作了三明治结构的MgB2/B/MgB2多层膜.采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和标准四线法对制备的MgB2//3/MgB2多层膜的断面结构、超导薄膜晶体结构及超导特性进行了测量研究.结果表明,制备的MgB2/B/MgB2多层膜结构清晰,底层和顶层超导薄膜显示出良好的超导特性.

英文摘要:

The sandwich-type MgB2/B/MgB2 trilayers were fabricated on polycrystalline A12 03 substrate, which the top and bottom MgB2 layers were grown by chemical vapor deposited(CVD) ex situ and hybrid physics-chemis- try vapour deposited(HPCVD) in a two-zone system, the B barrier were prepared by CVI). Scanning electron mi- croscopy, X-ray diffraction and four-point probe method were carried out to study cross-sectional structure, super- conducting properties and crystal structure of MgB2/B/MgB2 trilayers. The results addressed the MgB2/B/MgB2 trilayers have a good structural and superconducting properties using the trilayer deposition process.

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期刊信息
  • 《低温物理学报》
  • 北大核心期刊(2011版)
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国科学技术大学
  • 主编:赵忠贤
  • 地址:安徽省合肥市金寨路96号
  • 邮编:230026
  • 邮箱:LiBiyou@ustc.edu.cn
  • 电话:0551-3601359
  • 国际标准刊号:ISSN:1000-3258
  • 国内统一刊号:ISSN:34-1053/O4
  • 邮发代号:26-136
  • 获奖情况:
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘(网络版),日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:1577