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AlN/Al_2O_3(0001)薄膜生长与吸附的表面界面结构研究
  • ISSN号：1001-0548
  • 期刊名称：Journal of the University of Electronic Science an
  • 时间：2013
  • 页码：784-786
  • 相关项目：GaN表面缺陷诱导ABO3薄膜生长机理研究
作者： 梁晓琴|黄平|冯玉芳|杨春|
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期刊信息
  • 《电子科技大学学报》
  • 北大核心期刊（2011版）
  • 主管单位:国家教育部
  • 主办单位:电子科技大学
  • 主编：周小佳
  • 地址：成都市成华区建设北路二段四号
  • 邮编：610054
  • 邮箱：xuebao@uestc.edu.cn
  • 电话：028-83202308
  • 国际标准刊号：ISSN：1001-0548
  • 国内统一刊号：ISSN：51-1207/T
  • 邮发代号:62-34
  • 获奖情况:
  • 全国优秀科技期刊,第二届全国优秀科技期刊二等奖,两次获国家新闻出版署、国家教委“全国高校自然科...,中国期刊方阵双百期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,美国数学评论（网络版）,德国数学文摘,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:12314