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Ta和TaN底电极对原子层淀积HfO2介质MIM电性能的影响
  • ISSN号：1000-3290
  • 期刊名称：《物理学报》
  • 时间：0
  • 分类：TN0[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：[1]State Key Laboratory of ASIC and System, Department of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, China
  • 相关基金：Project supported by the National Natural Science Foundation of China （Grant No 90607023）, Shanghai Pujiang Program （Grant No 05PJ14017）, SRF for R0CS, SEM, and the Micro/Nano-electronics Science and Technology Innovation Platform （985） and the Ministry of Education of China in the International Research Training Group ＂Materials and Concepts for Advanced Interconnects
作者： 许军[1], 黄宇健[1], 丁士进[1], 张卫[1]
关键词： 金属绝缘体, 电容器, 原子分层, 射电, metal-insulator-metal, atomic-layer-deposition, Al2O3, radio frequency integrated circuit
中文摘要：

Corresponding author. E-maih sjding@fudan.edu.cn

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期刊论文 1
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期刊信息
  • 《物理学报》
  • 北大核心期刊（2011版）
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会 中国科学院物理研究所
  • 主编：欧阳钟灿
  • 地址：北京603信箱(中国科学院物理研究所)
  • 邮编：100190
  • 邮箱：apsoffice@iphy.ac.cn
  • 电话：010-82649026
  • 国际标准刊号：ISSN：1000-3290
  • 国内统一刊号：ISSN：11-1958/O4
  • 邮发代号:2-425
  • 获奖情况:
  • 1999年首届国家期刊奖,2000年中科院优秀期刊特等奖,2001年科技期刊最高方阵队双高期刊居中国期刊第12位
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国科学引文索引（扩展库）,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:49876