位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
制备工艺对多孔阳极氧化铝的影响
  • 期刊名称：武汉大学学报(理学版)55,544-548（2009）
  • 时间：0
  • 相关项目：离子注入制备硅基III - V 族半导体量子点及其光电特性研究
同期刊论文项目
离子注入制备硅基III - V 族半导体量子点及其光电特性研究
期刊论文 19 会议论文 1
同项目期刊论文
离子注入法制备 Si基量子点
离子注入制备 Si基 GaSb量子点
不同衬底上氧化锌纳米结构的水热法制备研究
Photoluminescence of ZnO Nanorods Grown by Hydrothermal Method on Si Substrate
InAs /AlAs /GaAs量子点的光致发光光谱研究
Structure and properties of InAs/AlAs quantum dots for broadband emission
Investigation of Electronic Energy Levels in InAs QD with Shape of Lens by Using B-Spline Technique
Synthesis and photoluminescence properties of ZnO nanorods and nanotubes
Effect of electrical field and post annealing on the morphology crystallinity of ZnO nanostrucures
二次退火制备III-V族半导体量子点
制备工艺对多孔阳极氧化铝特性的影响
离子注入制备Si基GaSb量子点
离子注入法制备Si基量子点
InAs／AlAs／GaAs量子点的光致发光光谱研究
水热法在不同衬底下制备纳米ZnO材料
Photoluminescence of ZnO Nanorods Grown by Hydrothermal Method on Si Substrate
离子注入制备Si基InAs量子点
二次退火制备Ⅲ-Ⅴ族半导体量子点