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A novel high performance TFS SJ IGBT with a buried oxide layer
  • ISSN号：1674-1056
  • 期刊名称：《中国物理B：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：TN322.8[电子电信—物理电子学] TQ153.2[化学工程—电化学工业]
  • 作者机构：[1]State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China
  • 相关基金：Project supported by the National Science and Technology Major Project, China （Grant No. 2011ZX02504-003）, the Fundamental Research Funds for the Central Universities （Grant No. ZYGX2011J024）, and the Open Foundation of State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, China （Grant No. KFJJ201301）.
作者： Zhang Jin-Ping Li Ze-Hong Zhang Bo Li Zhao-Ji[1]
关键词： IGBT, TFS, 性能, 氧化层, 绝缘栅双极型晶体管, 载流子分布, 埋入, 掺杂浓度, insulated gate bipolar transistor, trench field stop, superjunction, buried oxide layer
中文摘要：

Corresponding author. E-mail： jinpingzhang@uestc.edu.cn

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期刊信息
  • 《中国物理B：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会和中国科学院物理研究所
  • 主编：欧阳钟灿
  • 地址：北京 中关村 中国科学院物理研究所内
  • 邮编：100080
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  • 电话：010-82649026 82649519
  • 国际标准刊号：ISSN：1674-1056
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5639/O4
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  • 获奖情况:
  • 国内外数据库收录:
  • 被引量:406