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High-mobility, air stable bottom-contact n-channel thin film transistors based on N,N '-ditride
  • ISSN号:0003-6951
  • 期刊名称:Appl. Phys. Lett.
  • 时间:2013
  • 页码:1-4
  • 相关项目:稠环功能高分子的可控合成和光电性能研究
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