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MOCVD生长Ⅲ族氮化物镓源的选择
  • ISSN号：1001-5868
  • 期刊名称：《半导体光电》
  • 时间：0
  • 分类：TN304.055[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：浙江大学,硅材料国家重点实验室,浙江,杭州,310027 浙江大学,硅材料国家重点实验室,浙江,杭州,310027 浙江大学,硅材料国家重点实验室,浙江,杭州,310027
  • 相关基金：国家自然科学基金资助项目(60046001).
作者： 顾星, 叶志镇, 赵炳辉
关键词： MOCVD, 镓源, Ⅲ族氮化物, GAN, TMGa, TEGa
中文摘要：

MOCVD是生长Ⅲ族氮化物材料最成功的技术之一.镓源的选择是该技术中重要的一环.详细比较了三甲基镓和三乙基镓两种主要的镓源对生长样品在微结构、表面形态、电学性质和光学性质方面的不同影响,并对造成不同影响的因素提出了自己的见解.

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硅基氮化镓蓝光材料生长与器件研究
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期刊信息
  • 《半导体光电》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:信息产业部
  • 主办单位:中国电子科技集团公司第四十四研究所（重庆光电技术研究所）
  • 主编：江永清
  • 地址：重庆市南岸区南坪花园路14号
  • 邮编：400060
  • 邮箱：soe@163.net
  • 电话：023-65860286
  • 国际标准刊号：ISSN：1001-5868
  • 国内统一刊号：ISSN：50-1092/TN
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 重庆市首届十佳期刊称号，1999年,信息产业部1999-2000年度优秀电子期刊称号
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:5924