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半Heusler型Na1-xCsxAlGe(0≤x≤1)合金能带反转结构的研究
  • ISSN号：1000-3290
  • 期刊名称：《物理学报》
  • 时间：0
  • 分类：O471.5[理学—半导体物理;理学—物理]
  • 作者机构：[1]重庆师范大学物理与电子工程学院,重庆400044, [2]河北工业大学材料科学与工程学院,天津300130, [3]中国科学院物理研究所,磁学国家重点实验室,北京100190
  • 相关基金：国家自然科学基金（批准号：51271071,11074160）; 教育部新世纪优秀人才支持计划（批准：NCET-10-0126）; 河北省应用基础研究计划重点基础研究项目（批准号：12965136D）; 河北省高校百名优秀创新人才支持计划; 河南省科技攻关计划项目（批准号：102102210037）资助的课题
作者： 王啸天[1,2], 代学芳[2], 贾红英[2], 王立英[2], 张小明[3], 崔玉亭[1], 王文洪[3], 吴光恒[3], 刘国栋[1,2]
关键词： 第一性原理计算, 拓扑绝缘体, 半Heusler合金, 电子结构, first-principles calculations, topological insulator, half Heusler compound, electronic structure
中文摘要：

采用第一性原理的计算方法,研究了全部由轻元素构成的半Heusler型NaAlGe合金中,掺杂元素对合金拓扑能带结构的影响.发现利用同族的Cs元素掺杂替换Na元素,能够诱导Na1-x Csx AlGe合金的能带结构由原本正常带序（0 x〈0.125）转换为反转带序（0.125 x 1）.基于对这一现象的深入讨论,我们提出在几乎没有自旋-轨道耦合作用的材料中,掺杂元素（Cs）是通过其离子半径的不同,进而影响晶格参数变化导致另外两种近邻原子间杂化作用发生变化,来诱导拓扑反带结构形成的.

英文摘要：

The infiuences of doping whit congeners on the band topology in half Heusler-type of NaAlGe alloys are investigated using the first-principles calculations. It is found that the Na1-xCsx AlGe alloys with a normal band order are converted into topological nontrivial phases when x is up to 0.125. We argue that it is the degree of hybridization between Al and Ge determine the band order at the Fermi level. The Na or Cs only plays a role of the valence electron contributor and infiuences the lattice parameter.

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期刊信息
  • 《物理学报》
  • 北大核心期刊（2011版）
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会 中国科学院物理研究所
  • 主编：欧阳钟灿
  • 地址：北京603信箱(中国科学院物理研究所)
  • 邮编：100190
  • 邮箱：apsoffice@iphy.ac.cn
  • 电话：010-82649026
  • 国际标准刊号：ISSN：1000-3290
  • 国内统一刊号：ISSN：11-1958/O4
  • 邮发代号:2-425
  • 获奖情况:
  • 1999年首届国家期刊奖,2000年中科院优秀期刊特等奖,2001年科技期刊最高方阵队双高期刊居中国期刊第12位
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国科学引文索引（扩展库）,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:49876