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新型发射极指组合结构功率SiGe HBT热分析
  • ISSN号：1004-3365
  • 期刊名称：微电子学
  • 时间：0
  • 页码：305-308
  • 语言：中文
  • 相关项目：超宽频带SiGe HBT低噪声放大器研究
作者： 金冬月|胡宁|陈亮|张万荣|黄毅文|沈珮|谢红云|王扬|黄璐|
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期刊信息
  • 《微电子学》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国电子科技集团公司
  • 主办单位:四川固体电路研究所
  • 主编：武俊齐
  • 地址：重庆南坪花园路14号24所
  • 邮编：400060
  • 邮箱：wdzx@sisc.com.cn
  • 电话：023-62834360
  • 国际标准刊号：ISSN：1004-3365
  • 国内统一刊号：ISSN：50-1090/TN
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 中文核心期刊,信息产业部优秀电子科技期刊,中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘（网络版）,波兰哥白尼索引,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
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