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单层石墨烯场效应晶体管制备及低温导电特性
  • ISSN号：1000-3258
  • 期刊名称：《低温物理学报》
  • 时间：0
  • 分类：O613.71[理学—无机化学;理学—化学] TN386[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：哈尔滨理工大学应用科学学院
  • 相关基金：国家自然科学基金项目(批准号:51672062)资助的课题
作者： 姜久兴, 曹兴宇, 王振华, 王纪钰
关键词： 化学气相沉积, 单层石墨烯, 电子迁移率, 场效应晶体管, P型掺杂效应
中文摘要：

采用化学气相沉积法（CVD）制备单层石墨烯,将其转移到300nm厚的SiO2/Si衬底上.通过真空蒸镀法在石墨烯表面沉积Au电极,获得SiO2/Si背栅石墨烯场效应晶体管,对其进行低温导电特性的测试.结果表明,背栅石墨烯场效应晶体管呈双极导电性,并表现出P型导电特性.室温下器件的电子迁移率为3478cm2/V.s,开关比（on/off）为1.88.在低温下器件的电子迁移率降至2913cm2/V.s,开关比上升到2.53,狄拉克点左移,P型掺杂效应减弱,温度对器件起到调制作用.

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期刊信息
  • 《低温物理学报》
  • 北大核心期刊（2011版）
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国科学技术大学
  • 主编：赵忠贤
  • 地址：安徽省合肥市金寨路96号
  • 邮编：230026
  • 邮箱：LiBiyou@ustc.edu.cn
  • 电话：0551-3601359
  • 国际标准刊号：ISSN：1000-3258
  • 国内统一刊号：ISSN：34-1053/O4
  • 邮发代号:26-136
  • 获奖情况:
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:1577