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Study on carrier lifetimes in InGaN multi-quantum well with different barriers by time-resolved phot
  • ISSN号：1521-3951
  • 期刊名称：Phys. Status Solidi B
  • 时间：2015.5.1
  • 页码：956-960
  • 相关项目：基于磁控溅射和金属诱导结晶的多晶硅薄膜
作者： Lai Wang|Yucheng Xing|Zhibiao Hao|Yi Luo|
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基于磁控溅射和金属诱导结晶的多晶硅薄膜
期刊论文 33 会议论文 5 著作 1
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