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一种抑制关态漏电流和提高亮度稳定性的OLED微显示像素电路研究
  • ISSN号:1001-5868
  • 期刊名称:半导体光电
  • 时间:2015.12.15
  • 页码:993-998
  • 分类:TN383[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构:[1]吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区,长春130012, [2]中国人民解放军61251部队,河北秦皇岛066102
  • 相关基金:国家自然科学基金项目(61177025); 国家“973”计划项目(2010CB327701); 吉林省科技发展计划项目(20130102009JC)
  • 相关项目:一种无机纳米柱阵列/有机和纳米晶/有机并联结构的复合太阳能电池研制
中文摘要:

OLED微显示像素驱动电路中,由于较小的存储电容和开关MOS管关态漏电流的影响,导致其存储电压和亮度不稳定。通过分析影响关态漏电流的主要因素,提出了一种多开关管串联和存储电容拆分相结合的办法以减小关态漏电流,并设计了一种含有两个开关管和两个存储电容的像素电路,该电路将关态漏电流由大于3pA减小为0.4pA,存储电压和亮度稳定性得到了很大的改善,小亮度时一帧的亮度变化仅为0.18cd/m~2。电路可实现的最小OLED驱动电流为25pA,像素亮度范围为1.82~217.37cd/m~2。

英文摘要:

Due to the small storage capacitor and the influence of the off-state leakage current through the MOS transistor in the OLED microdisplay pixel circuit,the voltage on the storage capacity and the pixel luminance are unstable during a frame period.In this paper,the factors affecting the leakage current were analyzed and a combined method for reducing the leakage current was introduced,in which MOS switches were added in series-connection and the storage capacitor was split.Then an optimized pixel circuit composed of two transistors and two capacitors was designed,in which the leakage current was decreased from more than 3pA to 0.4pA.The holding effect of the storage voltage and the stability of the pixel luminance were also improved greatly and the change of the minimum pixel luminance was only 0.18cd/m~2.In this proposed pixel circuit,a minimum OLED current of 25 pA and a pixel luminance range of 1.82~217.37cd/m~2 were realized.

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期刊信息
  • 《半导体光电》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:信息产业部
  • 主办单位:中国电子科技集团公司第四十四研究所(重庆光电技术研究所)
  • 主编:江永清
  • 地址:重庆市南岸区南坪花园路14号
  • 邮编:400060
  • 邮箱:soe@163.net
  • 电话:023-65860286
  • 国际标准刊号:ISSN:1001-5868
  • 国内统一刊号:ISSN:50-1092/TN
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 重庆市首届十佳期刊称号,1999年,信息产业部1999-2000年度优秀电子期刊称号
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘(网络版),荷兰文摘与引文数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:5924