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AFM在不同参数下实现阳极氧化纳米加工
  • ISSN号：1003-353X
  • 期刊名称：《半导体技术》
  • 时间：0
  • 分类：TN305.5[电子电信—物理电子学] O484.1[理学—固体物理;理学—物理]
  • 作者机构：[1]贵州大学贵州省光电子技术及应用重点实验室,贵阳550025
  • 相关基金：国家自然科学基金（50375031）;教育部优秀青年教师资助计划（教人司[2003]355）、春晖计划（教外司留[2003]591）;贵州省国际科技合作项目（黔科合国字2004）11004）;贵州省高层次人才特助经费资助项目（2003年度）;贵州省优秀科技教育人才省长专项资金项目（2004年度）
作者： 孙志[1], 秦水介[1]
关键词： AFM针尖诱导阳极氧化, Si氧化点, 偏置电压, 脉冲时间, AFM anodic oxidation, Si oxidation points, bias voltage, pulse time
中文摘要：

用原子力显微镜（AFM）研究了电场诱导氧化理论以及偏置电压和脉冲时间对加工结构尺寸的影响。通过实验得出了偏压、脉冲时间越大，加工尺寸越大的结论。并总结出氧化加工Si较好的参数范围。

英文摘要：

The theory of field-induced oxidation and the impact of bias voltage and pulse time on the nanofabrication were studied by AFM. According to the experiments, it is obvious that the bias voltage and pulse time are in direct proportion to oxide dimension. The proper bias voltage and pulse time range for oxidizing Si film were achieved.

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期刊信息
  • 《半导体技术》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国电子科技集团公司
  • 主办单位:中国电子科技集团公司第十三研究所
  • 主编：赵小玲
  • 地址：石家庄179信箱46分箱
  • 邮编：050051
  • 邮箱：informax@heinfo.net
  • 电话：0311-87091339
  • 国际标准刊号：ISSN：1003-353X
  • 国内统一刊号：ISSN：13-1109/TN
  • 邮发代号:18-65
  • 获奖情况:
  • 中文核心期刊,中国科技论文统计用刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘（网络版）,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:6070