欢迎您！东篱公司
退出
-
申报数据库
-
立项数据库
-
成果数据库
-
项目获奖数据库
中文摘要：
采用磁控溅射技术先在Si衬底上制备Ga2O3/Co薄膜,然后在950℃下流动的氨气中进行氨化反应制备GaN纳米棒.应用X射线衍射、扫描电镜、傅里叶红外吸收光谱、选区电子衍射和高分辨透射电子显微镜对样品进行表征.结果表明,采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN单晶纳米棒.观察发现纳米棒表面光滑.并讨论了GaN纳米棒的生长机制.
英文摘要：
GaN nanorods are successfully synthesized on Si（111） substrates with magnetron sputtering through ammoniating Ga2O3/Co films at 950℃. X-ray diffraction, scanning electron microscopy, high-resolution transmission electron microscopy,and Fourier-transform infrared spectroscopy are used to characterize the samples. The results demonstrate that the nanorods are single-crystal GaN with a hexagonal wurtzite structure and possess relatively smooth surfaces. The growth mechanism of GaN nanorods is also discussed.
同期刊论文项目
同项目期刊论文
期刊信息
位置：