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InAs/GaSb type-II superlattice grown by MOCVD for long-wavelength infrared detection
  • 期刊名称：OPTOELECTRONICS AND ADVANCED MATERIALS – RAPID COM
  • 时间：2011.9
  • 页码：1017-1020
  • 相关项目：GaAs基InAsGaSb红外光电阴极材料研究
作者： 汪韬|
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GaAs基InAsGaSb红外光电阴极材料研究
期刊论文 15
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