位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
Transconductance bimodal effect of PDSOI submicron H-gate MOSFETs
  • ISSN号：1674-4926
  • 期刊名称：半导体学报
  • 时间：2013.1
  • 页码：014004-
  • 相关项目：面向空间应用深亚微米SOI集成器件辐照损伤机理研究
作者： 梅博|毕津顺|卜建辉|韩郑生|
同期刊论文项目
面向空间应用深亚微米SOI集成器件辐照损伤机理研究
期刊论文 18 会议论文 18
同项目期刊论文
深亚微米SOI射频LDMOS功率特性研究
基于PDSOI单粒子翻转物理机制的SPICE模型研究
H型栅结构的亚微米PDSOI MOS器件的跨导双峰效应研究
核反应影响半导体器件单粒子翻转的Geant4仿真
Study on power characteristics of deep sub-micron SOI RF LDMOS
Numerical simulation of single-event-transient effects on ultra-thin-body fully-depleted silicon-on-
Hf/HfO2基双极阻变存储器研究
0.18微米PDSOI MOSFET激光单粒子瞬态研究
一种面积有效的抗SEU锁存器设计研究
基于Geant4的三维半导体器件单粒子效应仿真
Characteristics of HfO2/Hf-based bipolar resistive memories
0.18μm部分耗尽绝缘体上硅互补金属氧化物半导体电路单粒子瞬态特性研究
22 nm工艺超薄体全耗尽绝缘体上硅晶体管单粒子瞬态效应研究
DCIV技术表征MOS/SOI界面陷阱能级密度分布
DCIV技术提取SOI器件前栅界面与背界面态密度
期刊信息
  • 《半导体学报：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国电子学会 中国科学院半导体研究所
  • 主编：李树深
  • 地址：北京912信箱
  • 邮编：100083
  • 邮箱：cjs@semi.ac.cn
  • 电话：010-82304277
  • 国际标准刊号：ISSN：1674-4926
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5781/TN
  • 邮发代号:2-184
  • 获奖情况:
  • 90年获中科院优秀期刊二等奖,92年获国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署...,97年国家科委、中共中央中宣传部和国家新出版署三等奖,中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,英国英国皇家化学学会文摘,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:7754