位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
A novel resonant cavity enhanced photodetector with flattop and steep-edge response
  • ISSN号：1673-1905
  • 期刊名称：《光电子快报：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：TN256[电子电信—物理电子学] TN215[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：Key Laboratory of Information Photonics and Optical Communications, Ministry of Education, Beijing University of Posts and Telecommunications, Beijing 100876, China
  • 相关基金：This work has been supported by the National High Technology Research and Development Program of China （No. 2007AA03Z418）, the Program of Key International Science and Technology Cooperation Projects （No. 2006DFB11110）, the National ＂111＂ Project （No. B07005）, and the Program for Changjiang Scholars and Innovative Research Team in University, Ministry of Education （No. 1RT0609）.
作者： 邸菁, 黄永清, 段晓峰, 宋海兰, 任晓敏, 黄辉, 王琦
关键词： 谐振腔增强型, 光电探测器, 平顶, 量子效率, 频率响应, 光谱响应, 转速特性, RCE
中文摘要：

E-mail： dijing19850120@gmail.com

同期刊论文项目
　基于微尺度效应和技术的异质结构半导体材料及器件
期刊论文 14
同项目期刊论文
晶体外延生长模式的完备理论描述与“后S-K异质兼容生长模式”的预言
全宇观万有作用力假说
狭义相对论的前提与全速域狭义相对论理论模型的构建原则
物质波动性与粒子性的科学表征及光子与姗子的相互转化
InP基长波长单片集成光接收前端的设计和制备
基于微环谐振腔的耦合谐振光波导反射镜
用于单片集成光接收机前端的GaAs基InP/InGaAs HBT
1.3μm InGaNAs/GaAs多量子阱“一镜斜置三镜腔”光探测器
耦合微环谐振腔光波导有限尺寸效应的优化
InGaAs/Si雪崩光电二极管
基于硼酸溶液处理的GaAs/InP低温晶片键合技术
InP／GaAs异质外延及异变InGaAs光探测器制备
闪锌矿B_xAl_（1-x）As合金的LP-MOCVD生长研究
期刊信息
  • 《光电子快报：英文版》
  • 主管单位:
  • 主办单位:天津理工大学
  • 主编：巴恩旭
  • 地址：天津市西青区宾水西道391号
  • 邮编：300384
  • 邮箱：Oelett@yahoo.com.cn
  • 电话：022-23679707 23657134
  • 国际标准刊号：ISSN：1673-1905
  • 国内统一刊号：ISSN：12-1370/TN
  • 邮发代号:6-198
  • 获奖情况:
  • 中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,英国科学文摘数据库
  • 被引量:147