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Improved L-gate 4H-SiC MESFETs with partial p-type spacer
  • ISSN号：1369-8001
  • 期刊名称：Materials Science in Semiconductor Processing
  • 时间：2013
  • 页码：352-355
  • 相关项目：SiC紫外探测器等效电路模型与集成化技术研究
作者： Hujun Jia|Yintang Yang|Hu Zhang|
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