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中文摘要：
通过sol-gel法在Si（111）基片上分别制备了LaNiO3（LNO）底电极和LaNiO3，La0.3Sr0.7TiO3（LNO／LSTO）底电极．然后采用sol-gel方法，在两种衬底上分别制备了Pb（Zr0.5Ti0.5）O3（PZT）铁电薄膜．XRD分析表明，两种PZT薄膜均具有钙钛矿结构，且在LNO底电极上的PZT薄膜呈（100）择优取向，而在LNO／LSTO底电极上的PZT薄膜呈随机取向．铁电性能测试表明，相对LNO衬底上制备的PZT薄膜，在LNO／LSTO底电极上制备的PZT薄膜的剩余极化强度得到了有效的增强，同时矫顽场也增大．介电常数和漏电流的测试表明，LNO／LSTO底电极上制备的PZT薄膜具有大的介电常数和漏电流．
英文摘要：
LaNiO3 （LNO） and LaNiO3/La0.3 Sr0.7 TiO3 （LNO/LSTO） bottom electrodes were prepared on Si （ 111 ） substrates by sol-gel process. Then Pb （Zr0.5 Ti0.5 ）O3 （PZT） ferroeleetrie films were then deposited on the bottoms also by sol-gel process. XRD showed that both of the PZT films have perovskite structure. The one on LNO bottom adopts （100） preferred orientation and the one on LNO/LSTO bottom adopts random orientation. The results of ferroelectric measurement showed that the ferroelectricity of the PZT film on LNO/LSTO bottom electrode was substantially enhanced compare with the one on LNO bottom electrode. The coercive field was also enhanced. The film on LNO/LSTO bottom electrode has larger dielectric constant and leakage current.
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