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基于锗硅BiCMOS工艺的低噪声差分放大器设计
  • ISSN号:1000-7180
  • 期刊名称:《微电子学与计算机》
  • 时间:0
  • 分类:TN453[电子电信—微电子学与固体电子学] TN609[电子电信—电路与系统]
  • 作者机构:[1]电子科技大学中山学院,广东中山528402, [2]电子科技大学物理电子学院,四川成都610054, [3]电子科技大学计算机科学与工程学院,四川成都610054, [4]陕西理工大学物理与电信工程学院,陕西汉中723000
  • 相关基金:国家自然科学基金(11305031);广东省自然科学基金(S20130L0011546);中山市科学事业费项目(2014A2FC379)
中文摘要:

针对无线局域网前端接收机2.5GHz的应用,提出了一种硅锗工艺低噪声差分放大器.采用差分级联放大器结构既能抑制输入端的共模噪声信号,又能因级联结构的高增益而抑制电路的噪声,确保电路的高性能;同时选用JAZZ 0.35μm 1P4M锗硅BiCMOS工艺来制作.该放大器能有效地提供了50!输入阻抗匹配且具备良好的温度特性.在频点2.5GHz时,放大器的最大小信号电压增益为29.1dB,噪声系数1.3dB,输入/输出回波损耗都优于-11dB,输入3阶交调点为-0.24dBm.在直流电源电压3V供应下,低噪声放大器消耗电流为3.7mA.仿真结果表明,与其他文献相比,该放大器有更高的电压增益和更低的噪声,可以更加有效地应用于无线局域网及相关频点领域.

英文摘要:

A differential lower noise amplifier (LNA) for wireless local network (WLAN) in front-end receiver is presented, which is fabricated with a JAZZ 0. 35 gm 1P4M SiGe BiCMOS process. It can not only reject the common-mode noise signal in input port and but also depress circuit noise for using cascade topology, and realize its high performance. The LNA provides effectively a 50 El input impedance matching and good temperature characteristic. At 2.5 GHz, the LNA exhibits a maximum small signal voltage gain of 29. 1 dB, noise figure of 1.3 dB, input/output return loss better than --11 dB, and input IIP3 of - 0. 24 dBm, respectively. The LNA consumes 3. 7 mA from a 3. 0V IX; supply. The simulation results show that, in comparison with the other LNAs, this LNA has higher voltage gain, lower noise and more efficaciously be utilized in WLAN and related fields.

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期刊信息
  • 《微电子学与计算机》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国航天科技集团公司
  • 主办单位:中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所
  • 主编:李新龙
  • 地址:西安市雁塔区太白南路198号
  • 邮编:710065
  • 邮箱:mc771@163.com
  • 电话:029-82262687
  • 国际标准刊号:ISSN:1000-7180
  • 国内统一刊号:ISSN:61-1123/TN
  • 邮发代号:52-16
  • 获奖情况:
  • 航天优秀期刊,陕西省优秀期刊一等奖
  • 国内外数据库收录:
  • 荷兰文摘与引文数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:17909