欢迎您!
东篱公司
退出
申报数据库
申报指南
立项数据库
成果数据库
期刊论文
会议论文
著 作
专 利
项目获奖数据库
位置:
成果数据库
>
期刊
> 期刊详情页
Homogeneous interface-type resistance switching in Au/La0.67Ca0.33MnO3/SrTiO3/F:SnO2 heterojunction
ISSN号:1674-1056
期刊名称:Chinese Physics B
时间:0
页码:047301-
相关项目:钙钛矿氧化物薄膜的阻变机制及室温低场阻变式存储器研究
作者:
Zhang Ting|Ding Ling-Hong|Zhang Wei-Feng|
同期刊论文项目
钙钛矿氧化物薄膜的阻变机制及室温低场阻变式存储器研究
期刊论文 21
同项目期刊论文
Bipolar resistance switching characteristics with opposite polarity of Au/SrTiO(3)/Ti memory cells
Unipolar memristors enable stateful logic operations via material implication
Effect of incorporating copper on resistive switching properties of ZnO films
Au/STO/Pt三明治结构阻变存储器性质研究
SnO_2:F沉积的La_(0.67)Sr_(0.33)MnO_3薄膜的电阻开关特性研究
Effect of energy level matching on the enhancement of photovoltaic response about oxide/Zn2SnO4 comp
Investigation of electrochemical performances of ZnFe2O4 prepared by solid state and hydrothermal me
Electrochemical performances of Co-doped LiFePO4/C obtained by hydrothermal method
铜掺杂氧化锌薄膜的阻变特性
Raman study of pure, C-coated and Co-doped LiFePO4: thermal effect and phase stability upon laser he
Coexistence of the bipolar and unipolar resistive switching behaviours in Au/SrTiO(3)/Pt cells
Improved cycling performance of 5 V spinel LiMn1.5Ni0.5O4 by amorphous FePO4 coating
Control of normal and abnormal bipolar resistive switching by interface junction on In/Nb:SrTiO3 int
Interface-related switching behaviors of amorphous Pr0:67Sr0:33MnO3-based memory cells
包覆碳掺CoLiFePO4正极的电化学性能研究
熔融盐法合成锂离子电池正极材料纳米LiNiO2
ZnFe_2O_4的固相法和水热法制备及其电化学性能研究
Bipolar resistance switching in the fully transparent BaSnO3-based memory device
期刊信息
《中国物理B:英文版》
中国科技核心期刊
主管单位:中国科学院
主办单位:中国物理学会和中国科学院物理研究所
主编:欧阳钟灿
地址:北京 中关村 中国科学院物理研究所内
邮编:100080
邮箱:
电话:010-82649026 82649519
国际标准刊号:ISSN:1674-1056
国内统一刊号:ISSN:11-5639/O4
邮发代号:
获奖情况:
国内外数据库收录:
被引量:406