位置:成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
Flexible resistive switching memory based on Mn0.20Zn0.80O/HfO2 bilayer structure
  • ISSN号:0022-3727
  • 期刊名称:Journal of Physics D: Applied Physics
  • 时间:2011.11.11
  • 页码:-
  • 相关项目:基于n-GaN衬底和ZnO/ZnMgO多量子阱的MIS结构二极管的紫外发光及发热特性研究
同期刊论文项目
同项目期刊论文