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各向异性对InAs/GaAs量子点应变分布的影响
  • ISSN号:1006-4729
  • 期刊名称:上海电力学院学报
  • 时间:2013.4.15
  • 页码:174-179+190
  • 分类:O471.1[理学—半导体物理;理学—物理] O471.5[理学—半导体物理;理学—物理]
  • 作者机构:[1]上海电力学院电子与信息工程学院,上海200090
  • 相关基金:国家自然科学基金(61204105);上海市自然科学基金资助(B10ZR1412400);上海市科技创新行动计划地方院校能力建设资助(10110502200).
  • 相关项目:低维耦合量子体系中混合空穴基态及自旋调控研究
作者: 汤乃云|
中文摘要:

研究了InGaAs/GaAs自组织量子点体系的应变分布.结果表明,量子点形状的各向异性对其流体静压应变的影响较为微弱,而对单轴应变的影响则更加明显且较为复杂.对于实验生长的常见s—K模式的量子点,其弹性张量的立方对称度大于形状对称度,因此应变分布中的各向异性主要由量子点形状的各向异性决定.量子点内部应变对于量子点各方向尺寸的相对变化较为敏感,而量子点体积的变化对其应变分量几乎没有影响.

英文摘要:

The strain distribution of InGaAs/GaAs self-organized quantum dots (QDs) is investigated. The influence of the QDs' geometrical symmetry on hydrostatic strain is relatively weak, while on uniaxial strain is more obvious and complex. For the Common Stranski-Krastanov growth mode, the cubic symmetry of elastic tensor is larger than that of shape, so the anisotropic strain distribution in QDs is mainly affected by the geometry anisotropy. The internal strain is more sensitive to the changes in size in different directions, while for the volume changes of QDs, the strain component is almost unaffected.

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期刊信息
  • 《上海电力学院学报》
  • 主管单位:上海市教育委员会
  • 主办单位:上海电力学院
  • 主编:张浩
  • 地址:上海市平凉路2103号
  • 邮编:200090
  • 邮箱:xuebaowu@126.com
  • 电话:021-35304995
  • 国际标准刊号:ISSN:1006-4729
  • 国内统一刊号:ISSN:31-1518/TM
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 1995年上海高校自然科学学报优秀学报,1998年上海高校自然科学学报优秀学报
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘(网络版)
  • 被引量:3643