位置:成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
Sc掺杂对PDP中MgO薄膜外逸电子发射性能的影响
  • ISSN号:1672-7126
  • 期刊名称:《真空科学与技术学报》
  • 时间:0
  • 分类:O484[理学—固体物理;理学—物理]
  • 作者机构:[1]东南大学电子科学与工程学院显示技术研究中心,南京210096, [2]韩国弘益大学材料科学与工程学院,首尔121-791
  • 相关基金:国家自然科学基金项目(60571033); 国家863项目(2008AA03A308); 高等学校学科创新引智计划(111计划)资助项目(B07027)
中文摘要:

研究了等离子显示器中Sc掺杂对MgO介质保护薄膜外逸电子发射性能的影响。测试出无掺杂和Sc掺杂MgO薄膜在不同温度条件下的外逸电子发射电流,并基于理论模型模拟计算外逸电子发射电流对比实验结果。结果表明Sc掺杂加深了MgO禁带中的电子陷阱深度,延长了MgO薄膜的外逸电子发射的衰减时间。Sc掺杂MgO薄膜具备了持续发射外逸电子的能力,能够实现等离子显示器放电单元稳定快速的寻址。

英文摘要:

The influence of the Sc-doping on the exo-electron emission characteristics of the MgO protection layers in plasma display panel(PDP) was simulated.The simulated results show that the Sc-doping significantly deepens the electron trap levels in the MgO band gap,and lengthens the decay time in exo-electron emission.In addition,the Sc-doping of the MgO films was found to improve the stability and sustainable emission of the exo-electron,and enables the PDD cell to achieve a faster and more stable address discharge.To test the simulated results,a prototyped 2 inch PDP was constructed.The experimental results agree fairly well with those of the simulation.

同期刊论文项目
同项目期刊论文
期刊信息
  • 《真空科学与技术学报》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学技术协会
  • 主办单位:中国真空学会
  • 主编:李德杰
  • 地址:北京朝阳区建国路93号万达广场9号楼614室
  • 邮编:100022
  • 邮箱:cvs@chinesevacuum.com
  • 电话:010-58206280
  • 国际标准刊号:ISSN:1672-7126
  • 国内统一刊号:ISSN:11-5177/TB
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘(网络版),荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),英国英国皇家化学学会文摘,中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:4421