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Basal plane bending of 6H-SiC single crystals observed by synchrotron radiation X-ray topography
  • 期刊名称:Journal of Applied Crystallography
  • 时间:0
  • 页码:1068-1072
  • 语言:英文
  • 相关项目:沿非c面生长碳化硅单晶
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