位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
High-field-induced electron detrapping in an AlGaN/GaN high electron mobility transistor
  • ISSN号：1674-1056
  • 期刊名称：Chinese Physics B
  • 时间：0
  • 页码：108503-108503
  • 相关项目：III族氮化物功率半导体器件与材料研究
作者： Fu Li-Hua|Lu Hai|Chen Dun-Jun|Zhang Rong|Zheng You-Dou|Wei Ke|Liu Xin-Yu|
同期刊论文项目
III族氮化物功率半导体器件与材料研究
期刊论文 46
同项目期刊论文
Current transport mechanisms of InGaN metal-insulator-semiconductor photodetectors
Improved Performances of InGaN Schottky Photodetectors by Inducing a Thin Insulator Layer and Mesa P
Low-dark-current metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetector fabricated on homoepitaxial GaN
Strain-modulated valence band engineering for enhancement of surface emission in polar and nonpolar
Distribution of deep-level traps at atomic-layer-deposited Al2O3/n-GaN interface
Electrical instability of amorphous indium-gallium-zinc oxide thin film transistors under monochroma
Indium-rich InGaN epitaxial layers grown pseudomorphically on a nano-sculpted InGaN template
高灵敏度宽禁带半导体紫外探测器
Reverse leakage current in AIGaN-based ultraviolet light-emitting diodes
期刊信息
  • 《中国物理B：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会和中国科学院物理研究所
  • 主编：欧阳钟灿
  • 地址：北京 中关村 中国科学院物理研究所内
  • 邮编：100080
  • 邮箱：
  • 电话：010-82649026 82649519
  • 国际标准刊号：ISSN：1674-1056
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5639/O4
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 国内外数据库收录:
  • 被引量:406