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退火温度对CoTiO2微结构和磁特性的影响
  • ISSN号:1003-353X
  • 期刊名称:《半导体技术》
  • 时间:0
  • 分类:O482.5[理学—固体物理;理学—物理]
  • 作者机构:[1]河北建筑工程学院数理系,河北张家口075024, [2]河北师范大学信息与物理科学学院,石家庄050016
  • 相关基金:国家自然科学基金(10774037);河北省科技厅项目(07215105)
中文摘要:

为了研究在稀释磁性半导体CoTiO2薄膜中不同退火温度对薄膜结构和磁性的影响,通过磁控溅射方法和原位退火工艺制备了CoTiO2薄膜样品。然后利用扫描探针显微镜以及振动样品磁强计对所制得的薄膜样品磁性和微结构的变化进行了研究。研究发现,热处理温度对薄膜的微结构和磁性能有很大的影响。扫描探针显微镜对样品的微结构分析结果表明,在400℃时磁性相的分布比较均匀,Co掺杂到TiO2结构当中且没有Co颗粒或团簇;振动样品磁强计测量样品的磁性能结果显示该样品具有明显的室温铁磁性。

英文摘要:

In order to study the influence of annealing temperature on CoTiO2 magnetic properties and microstructure, CoTiO2 thin films have been fabricated on glass substrates by DC facing-target magnetron sputtering and subsequently annealed in situ vacuum. The morphologies and domain structures were observed by scanning probe microscope magnetic properties were measured by vibrating sample magnetometer. Studies show that the microstructure and magnetic properties of the films are greatly affected by annealing temperature. Annealed at 400 ℃, the sample showed smooth surface and apparent domain.There is no evidence for either elemental Co or the cluster of metal Co in the films. The hysteresis loop has been obtained from VSM, and it shows that there is well magnetic property at room temperature.

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期刊信息
  • 《半导体技术》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国电子科技集团公司
  • 主办单位:中国电子科技集团公司第十三研究所
  • 主编:赵小玲
  • 地址:石家庄179信箱46分箱
  • 邮编:050051
  • 邮箱:informax@heinfo.net
  • 电话:0311-87091339
  • 国际标准刊号:ISSN:1003-353X
  • 国内统一刊号:ISSN:13-1109/TN
  • 邮发代号:18-65
  • 获奖情况:
  • 中文核心期刊,中国科技论文统计用刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘(网络版),美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:6070