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用B样条方法计算球冠状量子点内的电子结构
  • ISSN号:1671-8836
  • 期刊名称:《武汉大学学报:理学版》
  • 时间:0
  • 分类:O471.5[理学—半导体物理;理学—物理] O472.3[理学—半导体物理;理学—物理]
  • 作者机构:[1]武汉大学物理科学与技术学院,湖北武汉430072
  • 相关基金:国家自然科学基金资助项目(60676036)
中文摘要:

在有效质量理论的框架内,使用B样条方法,分别计算得到了球冠状InAs自组织量子点的高度和底面半径对电子能级的影响关系,且与实验结果和其他理论方法计算的结果进行了比较.结果表明:当量子点高度增大时(从1 nm到10 nm),其能级降低,能级间距减小.与底面半径对电子能级的影响相比,量子点高度是影响电子能级的关键因素,尤其是对基态能级几乎有决定性作用.同时,计算过程及结果也证明B样条方法在计算球冠状量子点电子能级方面是行之有效的.

英文摘要:

The dependence of the electronic energy levels of self-assembled quantum dots in shape of spherical lens on the height h and radius s at the base is studied respectively. Within the framework of the effective-mass theory and envelope function, the correlation between electronic energy levels and the sizes of quantum dots is obtained by expanding wave function with B-spline basis. It can be seen from the results that the energy levels lower and the energy separations decreases with volume of SAQD increased. And compared with the effect of radius, the height of quantum dot dominates the energy levels in lens-shape SAQD, especially the ground-state level. Our results are also compared with those obtained from other calculations and experiment. In addition, the B-spline technique is proved to be a practical and convenient method in calculation the electronic energy levels in SAQD since the boundary conditions can be easily satisfied without complex calculations by employing the suitable knot sequence.

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期刊信息
  • 《武汉大学学报:理学版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中华人民共和国2教育部
  • 主办单位:武汉大学
  • 主编:刘经南
  • 地址:湖北武昌珞珈山
  • 邮编:430072
  • 邮箱:whdz@whu.edu.cn
  • 电话:027-68756952
  • 国际标准刊号:ISSN:1671-8836
  • 国内统一刊号:ISSN:42-1674/N
  • 邮发代号:38-8
  • 获奖情况:
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘(网络版),美国数学评论(网络版),德国数学文摘,荷兰文摘与引文数据库,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,英国动物学记录,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版)
  • 被引量:6988