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[111]方向电场诱导的硅的倍频效应
  • ISSN号：1007-2276
  • 期刊名称：《红外与激光工程》
  • 时间：0
  • 分类：O437:0472[机械工程—光学工程;理学—光学;理学—物理]
  • 作者机构：[1]吉林大学电子科学与工程学院,吉林,长春,130012 吉林大学电子科学与工程学院,吉林,长春,130012 吉林大学电子科学与工程学院,吉林,长春,130012
  • 相关基金：国家自然科学基金资助项目(60476027)作者简:刘秀环(1968-),女,吉林长春人,博士生,主要从事半导体非线性光学和光电性质的研究工作.Email: xbliu@jlu edu.cn
作者： 刘秀环[1], 陈占国[1], 贾刚[1]
关键词： 硅晶体, 场致等效二阶极化率, 场致倍频吸收, 双光子响应
中文摘要：

理论上研究了硅晶体在[111]方向电场的作用下等效二阶极化率张量与C3v点群晶体的二阶极化率张量的形式相同;在此基础上研究了硅的[111]方向电场诱导的倍频效应,可以使入射光垂直{110}面入射,从而研究硅的场致倍频效应随基频光偏振方向的变化.设计了底面为(110)面的半球形硅样品,为从实验上研究[111]方向电场诱导的硅的倍频效应,提出了一种实验方案.

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期刊信息
  • 《红外与激光工程》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国航天科工集团
  • 主办单位:天津津航技术物理研究所
  • 主编：张锋
  • 地址：天津市空港经济区中环西路58号
  • 邮编：300308
  • 邮箱：irla@csoe.org.cn
  • 电话：022-58168883 /4/5
  • 国际标准刊号：ISSN：1007-2276
  • 国内统一刊号：ISSN：12-1261/TN
  • 邮发代号:6-133
  • 获奖情况:
  • 1996年获航天系统第五次科技期刊评比三等奖,1998年获航天系统第六次科技期刊评比二等奖,1997-2001年在天津市科技期刊评估中被评为一级期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:17466