位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
改进的垂直布里奇曼法生长CdZnTe晶体中的成分偏离现象
  • ISSN号：1674-4926
  • 期刊名称：《半导体学报：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：TN304.2+5[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：[1]西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安,710072 西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安,710072 西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安,710072 西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安,710072 西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安,710072
  • 相关基金：国家自然科学基金资助项目(批准号:50336040)
作者： 王涛[1], 杨戈[1], 曾冬梅[1], 徐亚东[1], 介万奇[1]
关键词： CdZnTe, 化学计量比偏离, PL谱, 红外透过率
中文摘要：

采用多种测试方法,对改进的垂直布里奇曼法生长Cd0.96Zn0.04Te晶体中的成分偏离标准化学计量比现象及其对晶体性能的影响进行了研究.X射线能谱成分测试表明,在晶锭的头部即初始结晶位置,(Cd+Zn)/Te比大于1;而在中部及末端,小于1.表明这种方法生长的CZT晶体仍然存在对标准化学计量比的偏离现象,开始结晶是在富Cd熔体中,生长至中后段则是在富Te条件下进行的.PL谱测试表明,富Cd的晶片内存在大量Te空位,严重富Te的晶片内Cd空位及其杂质复合体等引起的缺陷密度显著增加.晶体红外透过率测试结果表明,接近化学计量配比的CZT晶片具有高的红外透过率.

同期刊论文项目
化合物半导体晶体生长与缺陷控制的热物理问题
期刊论文 149 会议论文 30
同项目期刊论文
The Effects of dislocation in
籽晶垂直布里奇曼法生长大尺寸Cd
Behaviors of impurities in Cd0
正交梯度下双扩散对流的数值模拟
非等温相变问题的双倒易边界元法
A modified vertical Bridgman m
Effects of low-temperature ann
Magnetization and susceptibili
Photoluminescence analysis on
Effects of annealing on the pr
Effects of in doping on the pr
Photoluminescence analysis of
Growth, structure and electric
Cd1-xZnxTe: Growth and charact
Metal–CdZnTe contact and its
Thermal and solute transportat
Microstructure and Micromorpho
同步辐射光电子能谱研究Au/CdZnT
垂直Bridgman多组元化合物晶体生
垂直Bridgman法变速生长Hg1-xMnx
碲铟汞晶体的生长研究
Thermal treatment of detector-
Investigation of the optical p
The growth and characterizatio
Hg1-xMnxTe晶片电学参数的测量及
p-CZT的钝化处理和C-V特性研究
Au与p-CZT晶体的接触特性及其CZT
Vertical Bridgman Growth of Hg
碲铟汞晶体的生长及其电学特性
多组元化合物晶体生长过程中的双
Characteristics of doped Indiu
表面损伤层对Hg1-xMnxTe 晶片电
Electrical properties and elec
Numerical Simulation of Non- I
Residual stress and strain in
Time Evolution of Double-Diffu
Growth of ZnSe single crystals
Numerical investigation on the
Study of dislocations in CdZnT
CdZnTe晶片表面钝化研究
CdZnTe晶片表面化学抛光研究
Growth of In doped CdZnTe by v
Growth of Cd1-xZnxTe crystals
The study on the surface state
稀磁半导体Hg0.89Mn0.11Te磁化强
Correlation between the x valu
CdZnTe晶体热处理诱生的层错研究
Cd0.8Mn0.2Te晶体的生长及其性能
Correlation between ingot diam
Effects of two-step annealing
Effect of annealing on the res
Infrared transmission spectra
The study on Schottky contact
Single-crystal growth of mercu
Impurities in CdZnTe crystal g
Experimental study the solidif
碲锌镉晶体晶格畸变的测定与分析
环形容器内双扩散对流的数值模拟
Surface passivation and electr
垂直Bridgman法多组元晶体生长的
圆柱腔体内水凝固过程热对流实验
The surface leakage currents o
Characterization of HgMnTe cry
The photoluminescence of ZnSe
The Damages and Defects Induce
Effect of surface damaged laye
新型近红外光电探测材料碲铟汞的
In掺杂对CdMnTe晶体性能的影响
Cd0.9Zn0.1Te晶体中的In掺杂研究
The study of dislocations in C
II－VIs化合物的热物性报告
Structure characterizations an
Au／p-CdZnTe欧姆接触的研究
Correlation between the low- t
Study on the behaviors of impu
二元合金垂直Bridgman晶体生长过
The atomic and electronic stru
Dislocation-induced IR absorpt
HgInTe晶体的生长及其性能研究
Microhardness of Hg1-xMnxTe
Levels of CdZnTe induced by do
Atomic and electronic structur
用NH4Cl-H2O溶液共晶凝固实验模
Preliminary Study of Non-Isoth
Study on interface barrier bet
CdZnTe单晶的机械抛光及其表面损
Investigation on the electrica
The stratification phenomena i
The interface reaction and Sch
Upgradation of CdZnTe by an- n
Au/ p_-CZT晶体的光致发光以及电
化合物晶体Bridgman生长过程中的
Effects of Cd compensation on
改进的垂直布里奇曼法生长CdZnTe
垂直布里奇曼法生长的Cd_（0.8）Mn_（0.2）Te单晶体中Te沉淀相分析
以CuSe纳米粒子为催化剂制备超长ZnSe纳米线
ZnCl2·2NH4Cl结晶过程及其热分解行为
二元半导体合金垂直Bridgman晶体生长的热质对流Ⅰ-原型炉
二元半导体合金垂直Bridgman晶体生长的热质对流Ⅱ-三段热管炉
单质直接气相生长ZnSe单晶
ZnSe薄膜的化学反应辅助热壁外延法生长及特性研究
Cd0．8Mn0．2Te晶体生长及结晶质量评价
P—CZT的钝化处理和C-V特性研究
ZnSe单晶CVT法生长与系统优化
CdZnTe晶体(111)面摇摆曲线不唯一现象研究
Hg1-xMnxTe晶片电学参数的测量及分析
稀磁半导体Hg0．89Mn0．11Te磁化强度及磁化率的研究
水热法制备氧化锌纳米棒
同步辐射光电子能谱研究Au/CdZnTe的接触势垒
稀磁半导体Hg0.89Mn0.11Te的微观缺陷腐蚀规律
Cd0.8 Mn0.2Te晶体的生长及其性能
垂直Bridgman法晶体生长中的非等温相变现象初探
双扩散对流条件下圆柱容器内温度场和浓度场分层现象
表面损伤层对Hg1-xMnxTe晶片电学参数的影响
一维ZnE（E=S，Se）纳米结构的气相合成
AuCl3/HgI2与Au/HgI2接触的I-V特性表征
化合物晶体Bridgman生长过程中的溶质再分布
非等温相变问题的双倒易边界元法求解
多组元化合物晶体生长过程中的双扩散对流现象
垂直Bridgman多组元化合物晶体生长热质对流
碲铟汞多晶料合成与晶体生长
金属／Hg1-xMnxTe接触的I-V特性研究
新型近红外光电探测材料碲铟汞的研究
ZnSe多晶料的提纯与化学比的控制
Au与p-CZT接触的界面势垒研究
Au与p-CZT晶体的接触特性及其CZT表面处理状态的影响
CdZnTe单晶的机械抛光及其表面损伤层的测定
CdZnTe晶体缺陷的透射电子显微分析
Au／p—CdZnTe欧姆接触的电学测量及界面特性分析
ZnSe多晶料的合成方法及其工艺研究
ZnSe多晶料预处理原理与方法
Au／p-CZT晶体的光致发光以及电学性能研究
The photoluminescence of ZnSe bulk single crystals excited by femtosecond pulse
Synthesis of ZnS whiskers and their photoluminescence properties
开放体系优化ZnSe多晶原料化学计量比
一维ZnE（E=S，Se）网状微米晶须的化学气相合成及生长机理研究
立方闪锌矿结构ZnS纳米线的合成与表征
期刊信息
  • 《半导体学报：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国电子学会 中国科学院半导体研究所
  • 主编：李树深
  • 地址：北京912信箱
  • 邮编：100083
  • 邮箱：cjs@semi.ac.cn
  • 电话：010-82304277
  • 国际标准刊号：ISSN：1674-4926
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5781/TN
  • 邮发代号:2-184
  • 获奖情况:
  • 90年获中科院优秀期刊二等奖,92年获国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署...,97年国家科委、中共中央中宣传部和国家新出版署三等奖,中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,英国英国皇家化学学会文摘,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:7754