位置:成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
深能级对白光LED的电致发光和I-V特性的影响
  • ISSN号:1003-353X
  • 期刊名称:《半导体技术》
  • 时间:0
  • 分类:TN312.8[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构:[1]南京大学电子科学与工程学院江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京210093, [2]南京大学扬州光电研究院,江苏扬州225009
  • 相关基金:国家重点基础研究发展规划(2011CB301900); 国家高技术研究发展规划(2009AA03A198); 国家自然科学基金(60990311,60721063,60906025,60936004,60731160628,60820106003); 江苏省自然科学基金(BK2008019,BK2010385,BK2009255,BK2010178); 南京大学扬州光电研究院研发基金(2008003)
中文摘要:

为了研究一种无荧光粉的单芯片白光发光二极管(LED)的光电性质,实际测量了它的升温电致发光光谱和升温电流-电压(I-V)特性,并测量了相似结构的蓝光LED以作对比。实验发现白光LED的电致发光光谱中有一个与有源区中的深能级相关的较宽的长波长发光峰,根据这个发光峰的强度与温度之间的依赖关系,通过数据拟合,得到了深能级的平均激活能,约为199 meV。由于有源区中存在大量深能级,也对白光LED的I-V特性产生一定影响,有源区中的深能级成为额外的载流子源,使白光LED的I-V特性表现出独特的性质。

英文摘要:

In order to investigate the optical and electrical characteristics of one kind of phosphor-free white light-emitting diode(LED),the electroluminescence and I-V characteristics with increasing temperature of the white LED were measured,and a blue LED with the similar structure was measured for comparison.A wide long wavelength emission peak related to the deep-level states in the active region was observed in the white LED.According to the simulation of the emission intensity dependency of this peak with temperature,the average activation energy of deep-level states was obtained,which is about 199 meV.Deep-level states in the active region also influenced the I-V characteristics of the white LED.Deep-level states in the active region became extra source of carriers and contribute to the unique I-V characteristics of the white LED.

同期刊论文项目
期刊论文 196 会议论文 66 获奖 2 专利 22 著作 2
同项目期刊论文
期刊信息
  • 《半导体技术》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国电子科技集团公司
  • 主办单位:中国电子科技集团公司第十三研究所
  • 主编:赵小玲
  • 地址:石家庄179信箱46分箱
  • 邮编:050051
  • 邮箱:informax@heinfo.net
  • 电话:0311-87091339
  • 国际标准刊号:ISSN:1003-353X
  • 国内统一刊号:ISSN:13-1109/TN
  • 邮发代号:18-65
  • 获奖情况:
  • 中文核心期刊,中国科技论文统计用刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘(网络版),美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:6070