欢迎您!
东篱公司
退出
申报数据库
申报指南
立项数据库
成果数据库
期刊论文
会议论文
著 作
专 利
项目获奖数据库
位置:
成果数据库
>
期刊
> 期刊详情页
Metamorphic InGaAs p-i-n Photodetectors with 1.75 m Cut-Off Wavelength Grown on GaAs
期刊名称:CHIN. PHYS. LETT.
时间:0
页码:038504-1-038504-4
语言:英文
相关项目:GaAs基长波长高功率探测器及动态空间电荷效应制约研究
作者:
韩勤|
同期刊论文项目
GaAs基长波长高功率探测器及动态空间电荷效应制约研究
期刊论文 10
专利 4
同项目期刊论文
平面型APD抑制边缘击穿的方法研究
高稳定线性调谐GaAs基波长可调谐共振腔增强型探测器
高速高效光电探测器的制备、测试及特性分析
Tunable Metamorphic Resonant Cavity Enhanced InGaAs Photodetectors Grown on GaAs Substrate
Metal electrode influence on the wet selective etching of GaAs/AlGaAs
High-performance metamorphic InGaAs resonant cavity enhanced photodetector grown on GaAs substrate