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AlGaInP红光LED的GaP窗口层自组装法粗化
  • ISSN号:1003-353X
  • 期刊名称:《半导体技术》
  • 时间:0
  • 分类:TN312.8[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构:[1]北京工业大学电控学院光电子技术实验室,北京100022
  • 相关基金:国家自然科学基金(61107026); 北京市教委基金(KM20120005004)
中文摘要:

利用高分子共混物的自组装机理,将聚苯乙烯(polystyrene,PS)和聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate,PMMA)进行混合形成共混物,并进行微相分离和自组装,然后将共混物放置到超声装置中,利用超声波辅助,使自组装微粒直径和位置分布相对均匀,形成用于刻蚀微纳结构的微掩模。最后利用湿法腐蚀,在LED的GaP窗口层上制作出纳米结构的粗化层。通过SEM、显微镜手段,优化了刻蚀条件。测量了器件的光强、光功率以及I-V曲线,结果表明,使用高分子自组装进行粗化,可以在保持电压及波长特性的条件下,提高光输出功率19.3%。

英文摘要:

Based on self-assembly of polymer blends,the nano-structure was fabricated on the GaP window layer of LED by polymer self-assembling and etching.The mixture of polystyrene(PS) and polynomial methacrylate(PMMA) was micro-phase separated and self-assembled,then was placed in an ultrasonic set.The assembling particles were formed with a high degree of uniformity in the diameter and distributing.Then a micro-mask was formed.And using the micro-mask,the nano-structure was fabricated on the GaP window layer of LED by wet etching.The etching condition was optimized through SEM and microscope.After the lumen output,spectrum and I-V were measured.The test results show that the output power of light is increased about 19.3% as well as keeping the voltage and wavelength performances through the approach.

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期刊信息
  • 《半导体技术》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国电子科技集团公司
  • 主办单位:中国电子科技集团公司第十三研究所
  • 主编:赵小玲
  • 地址:石家庄179信箱46分箱
  • 邮编:050051
  • 邮箱:informax@heinfo.net
  • 电话:0311-87091339
  • 国际标准刊号:ISSN:1003-353X
  • 国内统一刊号:ISSN:13-1109/TN
  • 邮发代号:18-65
  • 获奖情况:
  • 中文核心期刊,中国科技论文统计用刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘(网络版),美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:6070