欢迎您!
东篱公司
退出
申报数据库
申报指南
立项数据库
成果数据库
期刊论文
会议论文
著 作
专 利
项目获奖数据库
位置:
成果数据库
>
期刊
> 期刊详情页
Optical microwave generation based on DFB lasers
ISSN号:1000-3290
期刊名称:物理学报
时间:0
页码:4558-4563
语言:中文
相关项目:超宽频带SiGe HBT低噪声放大器研究
作者:
Xie Hong-Yun|Wang Lu|Zhang Wan-Rong|Jin Dong-Yue|He Li-Jian|Zhang Wei|Wang Wei|
同期刊论文项目
超宽频带SiGe HBT低噪声放大器研究
期刊论文 57
会议论文 27
获奖 4
专利 3
同项目期刊论文
基于有限元的多发射极指SiGe HBT分段结构研究
基于SiGe HBT的射频有源电感的设计
具有高电流处理能力的多发射极条微波功率GeSi HBT
新型发射极指组合结构功率SiGe HBT热分析
SiGe HBT低噪声放大器的设计与制造
新型3.1~6GHz高增益超宽带低噪声放大器
采用噪声抵消技术的宽带SiGe HBT低噪声放大器设计
Analysis of a wavelength selectable cascaded DFB laser based on the transfer matrix method
Thermal stability improvement of a multiple finger power SiGe heterojunction bipolar transistor unde
能带工程对射频功率SiGe异质结双极晶体管热性能的改善
采用发射极非均匀指间距技术改善功率异质结双极晶体管热稳定性的研究
射频功率HBT热稳定性分析及镇流电阻优化
基于SiGe HBT的超宽带低噪声放大器的设计
基于IEEE802.11a标准的SiGe HBT LNA的设计
射频E类功率放大器并联电容技术研究
Multi-finger power SiGeHBTs for thermal stability enhancement over a wide biasing range
兼顾群延时与宽带匹配的SiGe HBT LNA设计
一种无电感超宽带低噪声放大器的设计
一款适用于WCDMA标准的大动态范围SiGe HBT可变增益放大器设计
3~10GHz SiGe HBTs超宽带低噪声放大器的设计
改善多指功率SiGe HBTs热稳定性的版图设计(英文)
Structure optimization of multi-finger power SiGe HBTs for thermal stability improvement
超宽带SiGe HBT低噪声放大器的设计和分析
非均匀条间距结构功率SiGe HBT(英文)
改善放大器噪声性能的SiGe HBT几何参数优化设计
3—6GHz SiGe HBT Cascode低噪声放大器的设计
发射极指分段与非均匀指间距组合的SiGe HBT设计及热分析
基于噪声抵消的有源匹配SiGeHBT低噪声放大器设计
Ge组分分布对基区杂质非均匀分布的SiGeHBT温度特性的影响
新型宽温区高热稳定性微波功率SiGe异质结双极晶体管
单载流子传输的双异质结光敏晶体管探测器的研究
基区Ge组分分布对SiGe HBTs热学特性的影响
基于DFB激光器的光学微波信号的产生
Collector optimization for improving the product of the breakdown voltage-cutoff frequency in SiGe HBT
0.9 GHz and 2.4 GHz dual-band SiGe HBT LNA
应用于射频前端的高Q值SiGe HBT有源电感
一种低功耗宽频率调谐范围的伪差分环形VCO
基区不同Ge组分分布的多指SiGeHBT热学特性
改善不同环境温度下SiGe HBT热稳定性的技术
基区重掺杂对SiGe HBT热学性能的影响
宽带噪声抵消结构的噪声分析及优化
UWB LNA的增益平坦化及稳定性的反馈技术
基于IEEE802.11a标准的SiGeHB TLNA的设计
深亚微米SOC电源网络设计与优化
一种UHF RFID标签低功耗物理设计与实现
基于Darlington Cascode结构的SiGe异质结双极晶体管UWB低噪声放大器的设计
Thermal stability improvement of a multiple finger power SiGe heterojunction bipolar transistor under different power dissipations using non-uniform finger spacing
Thermal resistance matrix representation of thermal effects and thermal design in multi-finger power heterojunction bipolar transistors
期刊信息
《物理学报》
北大核心期刊(2011版)
主管单位:中国科学院
主办单位:中国物理学会 中国科学院物理研究所
主编:欧阳钟灿
地址:北京603信箱(中国科学院物理研究所)
邮编:100190
邮箱:apsoffice@iphy.ac.cn
电话:010-82649026
国际标准刊号:ISSN:1000-3290
国内统一刊号:ISSN:11-1958/O4
邮发代号:2-425
获奖情况:
1999年首届国家期刊奖,2000年中科院优秀期刊特等奖,2001年科技期刊最高方阵队双高期刊居中国期刊第12位
国内外数据库收录:
美国化学文摘(网络版),荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国科学引文索引(扩展库),英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
被引量:49876