位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
Cascode射频有源电感的设计
  • ISSN号：1005-9490
  • 期刊名称：电子器件
  • 时间：2011
  • 页码：40-43
  • 相关项目：多指功率异质结晶体管的高均匀表面温度分布设计方法
作者： 尤云霞|张万荣|金冬月|谢红云|沈珮|丁春宝|孙博韬|
同期刊论文项目
多指功率异质结晶体管的高均匀表面温度分布设计方法
期刊论文 55 会议论文 11 专利 1
同项目期刊论文
Effect of bandgap engineering on thermal characteristic of radio frequency power SiGe heterojunction
Improvement on thermal stability of power heterojunction bipolar transistor using non-uniform finger
采用发射极非均匀指间距技术改善功率异质结双极晶体管热稳定性的研究
超宽带SiGe HBT低噪声放大器的设计和分析
基于Darlington+Cascode结构的SiGe异质结双极晶体管UWB低噪声放大器的设计
改善多指HBT热稳定性的非均匀指间距技术
Thermal resistance matrix representation of thermal effects and thermal design in multifinger power
Novel multi-finger power hbts with non-uniform segmented emitter for thermal stability enhancement
非统一多量子阱波长可选DFB激光器
适于超宽带放大器的增益平坦化反馈技术
Improving the quality factor of an RF spiral inductor with non-uniform metal width and non-uniform c
Novel microwave power sige heterojunction bipolar transistor with high thermal stability over a wide
A novel low power UWB cascode SiGe BiCMOS LNA with current reuse and zero-pole cancellation
Ge组分分布对基区杂质非均匀分布的SiGe HBT温度特性的影响
基于噪声抵消的有源匹配SiGe HBT低噪声放大器设计
Novel Emitter-Segmented Power HBT with 2-D Non-Uniform Segment Spacing for High Thermal Stability
Simultaneous optimization of Ge doping profile and layout in multi-finger power SiGe HBTs for high t
Restabilizing Mechanisms after the Onset of Thermal Instability in Bipolar Transistors
基区Ge组分分布对SiGeHBT热学特性的影响
Designing power heterojunction bipolar transistors with non-uniform emitter finger lengths to achiev
双频带低噪声放大器设计
An inductorless high linear UWB Cascode LNA with tunable active resistance feedback and post-lineari
发射极指分段与非均匀指间距组合的SiGe HBT设计及热分析
Ge组分分布对基区杂质非均匀分布的SiGeHBT温度特性的影响
新型宽温区高热稳定性微波功率SiGe异质结双极晶体管
单载流子传输的双异质结光敏晶体管探测器的研究
基区Ge组分分布对SiGe HBTs热学特性的影响
Collector optimization for improving the product of the breakdown voltage-cutoff frequency in SiGe HBT
0.9 GHz and 2.4 GHz dual-band SiGe HBT LNA
应用于射频前端的高Q值SiGe HBT有源电感
一种低功耗宽频率调谐范围的伪差分环形VCO
基区不同Ge组分分布的多指SiGeHBT热学特性
改善不同环境温度下SiGe HBT热稳定性的技术
基区重掺杂对SiGe HBT热学性能的影响
宽带噪声抵消结构的噪声分析及优化
UWB LNA的增益平坦化及稳定性的反馈技术
深亚微米SOC电源网络设计与优化
一种UHF RFID标签低功耗物理设计与实现
基于Darlington Cascode结构的SiGe异质结双极晶体管UWB低噪声放大器的设计
具有高电流增益-击穿电压优值的新型应变Si/SiGeHBT
宽温区高热稳定性SiGe HBT的基区优化设计
Thermal stability improvement of a multiple finger power SiGe heterojunction bipolar transistor under different power dissipations using non-uniform finger spacing
Thermal resistance matrix representation of thermal effects and thermal design in multi-finger power heterojunction bipolar transistors
期刊信息
  • 《电子器件》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:国家教育部
  • 主办单位:东南大学
  • 主编：孙立涛
  • 地址：南京市四牌楼2号
  • 邮编：210096
  • 邮箱：dzcg-bjb@163.com
  • 电话：025-83794925
  • 国际标准刊号：ISSN：1005-9490
  • 国内统一刊号：ISSN：32-1416/TN
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 2011-2012年获中国科技论文在线优秀期刊一等奖,2012年第四届中国高校特色科技期刊奖,2012年获中国权威学术核心期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,英国科学文摘数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）
  • 被引量:7464