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Nd:GdNbO4的制备、结构与发光
  • 期刊名称:量子电子学报
  • 时间:0
  • 页码:551-557
  • 语言:中文
  • 分类:TN244[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构:[1]中国科学院安徽光学精密机械研究所,安徽省光子器件与材料重点实验室,安徽合肥230031, [2]中国科学院研究生院,北京100049, [3]云南铝业股份有限公司,云南昆明650502
  • 相关基金:基金项目:国家自然科学基金(50772112,50872135,90922003)、安徽省优秀青年基金(08040106820)、中国科学院重要方向性项目(YYYJ-1002)资助
  • 相关项目:2.7微米高效抗辐射Yb,Er:GSGG激光晶体的生长及性能研究
中文摘要:

用高温固相法合成了Nd^3+:GdNbO4多晶,确定了它的结构,研究了它的光致发光。Nd^3+:GdNbO4是单斜结构,空间群为如I2/α采用内标法,测定了(1at%)Nd:GdNbO4的晶格参数。用Rietveld精修方法给出了Nd^3+:GdNbO4的原子坐标。在808nm光激发下,观察到925nm、1065nm、1345nm三个发射带,分别来自于Nd^3+的。4F3/2→2I9/2、4I11/2、4I13/2跃迁,以1065nm处4F3/2→4I11/2的发射谱带强度最强。分析表明Nd^3+在GdNbO4有很强的晶场作用,是一种潜在的新型激光材料。

英文摘要:

The polycrystMline Nd3+:GdNbO4 was synthesized by high temperature solid-state reaction method, its structure was determined and its luminescence was studied. Nd3+:GdNbO4 is monoclinic with the space group I2/α. The lattice parameters of (1 at%) Nd:GdNbO4 was determined by an internal standard method. The atom coordinates of Nd3+:GdNbO4 were obtained by Rietveld refinement. Three emission bands of 925 nm, 1065 nm and 1345 nm under 808 nm light excitation were observed, which are from the transitions 4F3/2→2I9/2、4I11/2、4I13/2of Nd3+ ion, respectively. The strongest emission peaks at 1065 nm from the transition 4F3/2 →4 I11/2 of Nd3+. The study indicates that Nd3+ in GdNbO4 has strong crystal field interaction, and it is a potential laser material.

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