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中子辐射对P型HPGe探测器的影响
  • ISSN号：0258-0934
  • 期刊名称：核电子学与探测技术
  • 时间：0
  • 页码：577-580
  • 分类：TL816[核科学技术—核技术及应用] TL76[核科学技术—辐射防护及环境保护]
  • 作者机构：[1]成都理工大学核技术与自动化工程学院,成都610059, [2]中国科学院高能物理研究所,北京100049, [3]中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室,北京100049, [4]中国科学院研究生院,北京100049
  • 相关基金：基金项目：国家自然科学基金资助（10835006和10705031）.
  • 相关项目：慢正电子束技术发展及薄膜材料基础研究
作者： 张子良|张建勇|姜小盼|秦秀波|王宝义|侯新生|ZHANG Zi-liang1,ZHANG Jian-yong2,JIANG Xiao-pan3,4|
关键词： 中子损伤, P型HPGe, 中子注量, 能量分辨率, Neutron Damage, P-type-detector, Neutron Fluence, Energy Resolution
中文摘要：

采用钚碳源（PuC）来刻度HPGe探测器，通过实验结果分析，探讨了快中子对HPGe探测器的损伤的影响以及石蜡材料对屏蔽中子的效应；研究了中子能量注量对P型高纯锗探测器HPGe的能量分辨率的影响，以及其能量分辨率随屏蔽材料厚度的变化关系。

英文摘要：

HPGe detector is scaled by PuC source. The damage effect of the fast neutron on the HPGe detector and the shielding effect of Paraffin to the neutron are discussed through the analysis of experimental results, specially, it is concentrated on the effect of neutron fluence damage on energy resolution of the ptype-detector and the relation of the energy resolution to the thickness of shielding material.

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期刊信息
  • 《核电子学与探测技术》
  • 北大核心期刊（2011版）
  • 主管单位:中国核工业集团公司
  • 主办单位:中核（北京）核仪器厂
  • 主编：李卫国
  • 地址：北京经济技术开发区宏达南路3号
  • 邮编：100176
  • 邮箱：lw261@sina.com
  • 电话：010-59573451
  • 国际标准刊号：ISSN：0258-0934
  • 国内统一刊号：ISSN：11-2016/TL
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 中国中文核心期刊,中国科协三等奖,中国核工业部二等奖
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:6170