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等离子体对OLED阳极进行处理的研究现状
  • ISSN号:1001-5868
  • 期刊名称:《半导体光电》
  • 时间:0
  • 分类:O47[理学—半导体物理;理学—物理]
  • 作者机构:[1]集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区吉林大学电子科学与工程学院,长春130012
  • 相关基金:国家自然科学基金项目(60676039); 国家“863”计划资助项目(2007AA03Z446,2009AA03Z442,2009AA03Z442)
中文摘要:

大多数OLED都用ITO做阳极,为了提高ITO的功函数、改善ITO表面的平整度和减少C的污染,通常要在生长有机材料前对ITO表面进行处理。介绍了目前用等离子体对OLED阳极进行处理的研究现状,给出了Ar、O2、H2、N2、N2O和CF4等离子体处理ITO后对平整度、功函数、接触角和OLED特性等的影响,在他人研究基础上得出结论:用等离子体对OLED阳极进行处理其器件特性不仅与处理ITO表面的气体种类有关,也与产生等离子体的条件有关。采用正交试验方法可优化等离子体处理工艺参数,获得高性能的OLED。

英文摘要:

ITO is used as the anode for most OLEDs.In order to improve its work function and smoothness and reduce C pollution,usually the ITO surface is treated before growing organic materials.In this paper,the current research situation of using plasma to process the anode of OLED is introduced.The effects of Ar,O2,H2,N2,N2O and CF4 plasma treatments on the smoothness,work function,contact angle and OLED characteristics are analyzed.In accordance with the results obtained by other researchers,it is concluded that the OLED characteristics enhancements by the plasma treatment not only depend on the kind of plasma,but also on the conditions of obtaining plasma.The plasma process parameters can be optimized by orthogonal test method so as to obtain high performance OLEDs.

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期刊信息
  • 《半导体光电》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:信息产业部
  • 主办单位:中国电子科技集团公司第四十四研究所(重庆光电技术研究所)
  • 主编:江永清
  • 地址:重庆市南岸区南坪花园路14号
  • 邮编:400060
  • 邮箱:soe@163.net
  • 电话:023-65860286
  • 国际标准刊号:ISSN:1001-5868
  • 国内统一刊号:ISSN:50-1092/TN
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 重庆市首届十佳期刊称号,1999年,信息产业部1999-2000年度优秀电子期刊称号
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘(网络版),荷兰文摘与引文数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:5924