中文摘要：

采用磁控溅射法制备了Ge15Ga10Te75薄膜,研究溅射工艺对薄膜结构与性能的影响,并分析了在不同热处理温度（200-280℃）退火后薄膜光学特性的变化.通过扫描电子显微镜、X射线衍射仪、显微拉曼光谱仪、分光光度计等测试手段对热处理前后薄膜样品的微观结构和光学特性进行了表征,结果表明,3次不同工艺下制备的沉积态薄膜组分与靶材偏差较小,且均是非晶态.沉积态薄膜的短波截止波长均在1μm 左右;当退火温度（Ta）大于薄膜的玻璃转化温度（Tg）时,薄膜的光学带隙（Egopt）随着退火温度的增加而逐渐减小,沉积态薄膜的光学带隙分别为1.05,1.06和1.07eV,而在280℃退火后薄膜光学带隙分别降至0.38,0.42和0.45eV,以上3次实验结果表明,不同工艺下制备的Ge15Ga10Te75薄膜组分均匀可控,热学和光学参数较一致.